A True 6F2 NOR Flash Memory Cell Technology - Impact of Floating Gate B4-Flash on NOR Scaling

2011 3rd IEEE International Memory Workshop (IMW) Pub Date : 2011-05-22 DOI:10.1109/IMW.2011.5873217

S. Shimizu, S. Shukuri, N. Ajika, T. Ogura, M. Mihara, Y. Kawajiri, K. Kobayashi, M. Nakashima

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一种真正的6F2 NOR闪存单元技术——浮栅b4闪存对NOR缩放的影响

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