A 4K GaAs SRAM with 1ns access time

1987 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers Pub Date : 1900-01-01 DOI:10.1109/ISSCC.1987.1157229

H. Tanaka, H. Yamashita, N. Masuda, N. Matsunaga, M. Miyazaki, H. Yanazawa, A. Masaki, N. Hashimoto

引用次数: 2

Abstract

An SRAM fabricated in 0.7μm gate Length FETs and employing current sensing will be presented. The discussion will include means to control thermal breakdown and an internal circuit to provide an ECL reference A 3.7×4.7mm die dissipates 1.6W.

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具有1ns存取时间的4K GaAs SRAM

提出了一种采用0.7μm栅极长度场效应管制作的电流传感SRAM。讨论将包括控制热击穿的方法和内部电路，以提供ECL参考A 3.7×4.7mm芯片耗散1.6W。

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1987 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers

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