Reliable uncooled 10-Gbit/s operation of GaInNAs-SQW laser

IEEE 18th International Semiconductor Laser Conference Pub Date : 2002-12-10 DOI:10.1109/ISLC.2002.1041119

A. Aoki, M. Kondow, T. Kitatani, S. Nakatsuka, M. Kudo, S. Tsuji

引用次数: 3

Abstract

A 1.27-/spl mu/m GaInNAs-SQW edge-emitting laser diode (LD) demonstrated 80/spl deg/C 10-Gbit/s direct-modulation. Stable aging at 85/spl deg/C shows the potential of this material LDs for cost-effective long-wavelength light sources.

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GaInNAs-SQW激光器可靠的10gbit /s非冷却操作

1.27-/spl mu/m gainas - sqw边发射激光二极管(LD)实现了80/spl度/C 10 gbit /s的直接调制。在85/spl度/C下的稳定老化显示了这种材料ld作为具有成本效益的长波光源的潜力。

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IEEE 18th International Semiconductor Laser Conference

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