Development of a self-aligned pnp HBT for a complementary thin-SOI SiGeC BiCMOS technology

2007 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting Pub Date : 2007-10-22 DOI:10.1109/BIPOL.2007.4351833

J. Duvernay, F. Brossard, G. Borot, L. Boissonnet, B. Vandelle, L. Rubaldo, F. Deleglise, G. Avenier, P. Chevalier, B. Rauber, D. Dutartre, A. Chantre

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Abstract

This paper describes the development of a thin-SOI pnp SiGeC HBT using a self-aligned selective epitaxy emitter/base architecture. Static and dynamic device characteristics are presented, and first results from a full 130 nm thin-SOI complementary SiGeC BiCMOS technology are reported.

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2007 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting

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