Development Of nanowire devices with quantum functionalities

2014 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials & Devices Pub Date : 2014-12-01 DOI:10.1109/COMMAD.2014.7038655

M. Stuiber, L. W. V. van Beveren, B. Johnson, W. Weber, A. Heinzig, J. Beister, D. Jamieson, J. McCallum

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Abstract

We describe a process to fabricate doped silicon nanowires in a 4-terminal setup.

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具有量子功能的纳米线器件的发展

我们描述了一种在四端装置中制备掺杂硅纳米线的工艺。

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