Effects of TiN overlay on ALD TaCN metal gate/high-k MOSFET characteristics

63rd Device Research Conference Digest, 2005. DRC '05. Pub Date : 2005-06-22 DOI:10.1109/DRC.2005.1553130

Z.B. Zhang, S.C. Song, K. Choi, J. H. Sim, P. Majhi, B. Lee

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Abstract

This paper describes a simple process that can tune the work function of ALD TaCN on HfO2 from 4.47eV to 4.77eV by adding a MOCVD TiN overlayer. It also discusses the device characteristics of TaCN and TiN/TaCN (TaCN with a TiN overlayer) metal gate/high-k MOSFETs and presents a manufacturable process for integrating the dual metal gate/high-k CMOS in FD-FET technology

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63rd Device Research Conference Digest, 2005. DRC '05.

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