A 16Kb static MTL/I2L memory chip

1980 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers Pub Date : 1900-01-01 DOI:10.1109/ISSCC.1980.1156078

S. Wiedmann, K. Heuber, W. Klein

引用次数: 8

Abstract

An experimental static MTL memory chip with 45/100ns access cycle and 170mW select power, fabricated in standard 2μm-epi bipolar process, will be described. The chip - 17.4mm2- features a design concept adaptable to a MTL memory cell.

查看原文本刊更多论文

一个16Kb的静态MTL/I2L存储器芯片

本文描述了一种采用标准2μm-epi双极工艺制作的45/100ns访问周期和170mW选择功率的实验性静态MTL存储芯片。该芯片- 17.4mm2-具有适用于MTL存储单元的设计概念。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

1980 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers

自引率

0.00%

发文量