Уменьшение поверхностной рекомбинации в монокристаллическом кремнии путем импульсного лазерного осаждения пленок с кремниевыми квантовыми точками

Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника Pub Date : 2022-03-20 DOI:10.20535/s0021347022030037

Сергей Васильевич Чирчик

{"title":"Уменьшение поверхностной рекомбинации в монокристаллическом кремнии путем импульсного лазерного осаждения пленок с кремниевыми квантовыми точками","authors":"Сергей Васильевич Чирчик","doi":"10.20535/s0021347022030037","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"У роботі запропоновано спосіб пригнічення поверхневої рекомбінації c-Si шляхом модифікації його поверхні наночастинками. Нанокомпозити кремнію, що містять Si квантоворозмірні частинки в SiO2 матриці, характеризуються збільшеною шириною заборонених станів, при нанесенні на c-Si підкладку, вони формують гетероперехід nc-Si/c-Si, потенційний бар’єр якого сприяє збільшенню поверхневого часу життя носіїв заряду. Наведено експериментальні результати досліджень. Метод тестовано у виробничих умовах на технологічних пластинах кремнію. Підтверджена можливість зменшення поверхневої рекомбінації в монокристалічному кремнії шляхом пасивації його поверхні при імпульсному лазерному осадженні плівок з кремнієвими квантовими точками.","PeriodicalId":233627,"journal":{"name":"Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника","volume":"328 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2022-03-20","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.20535/s0021347022030037","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

У роботі запропоновано спосіб пригнічення поверхневої рекомбінації c-Si шляхом модифікації його поверхні наночастинками. Нанокомпозити кремнію, що містять Si квантоворозмірні частинки в SiO2 матриці, характеризуються збільшеною шириною заборонених станів, при нанесенні на c-Si підкладку, вони формують гетероперехід nc-Si/c-Si, потенційний бар’єр якого сприяє збільшенню поверхневого часу життя носіїв заряду. Наведено експериментальні результати досліджень. Метод тестовано у виробничих умовах на технологічних пластинах кремнію. Підтверджена можливість зменшення поверхневої рекомбінації в монокристалічному кремнії шляхом пасивації його поверхні при імпульсному лазерному осадженні плівок з кремнієвими квантовими точками.

查看原文本刊更多论文

通过脉冲激光包围硅量子点薄膜来减少单晶硅的表面重组

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника

自引率

0.00%

发文量