Влияние физических свойств p-n перехода на СВЧ характеристики электрооптического модулятора на кремнии / Царев А. В., Тазиев Р. М

{"title":"Влияние физических свойств p-n перехода на СВЧ характеристики электрооптического модулятора на кремнии / Царев А. В., Тазиев Р. М","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-465","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В настоящей работе представлены результаты численного моделирования электрооптического\nмодулятора Маха-Цендера с применением делителей пучка на основе многомодовой интерференции\n(ММИ) в структуре кремний на изоляторе (КНИ). Управление обеспечивается за счет эффекта\nобеднения в вертикальном p-n переходе, который может быть изготовлен с помощью\nтехнологической процедуры самовыравнивания. Показано, что благодаря применению специального\nпрофиля легирования донорными примесями для формирования p-n перехода удается\nсущественным образом оптимизировать свойства электрооптического модулятора на КНИ под\nзаданную полосу рабочих частот и величину управляющего напряжения. В частности, предложена\nоптимальная конструкции модулятора бегущей волны, согласованного с внешней 50-омной\nнагрузкой, для которого при величине обратного смещения в -5 вольт и активной длине 1.7 мм\nвозможна оптическая рабочая полоса частот около 50 ГГц. При этом модулятор на вертикальном p-n\nпереходе будет иметь общую длину 7 мм и внутренние потери около 4 дБ, которые складываются из\nпотерь на двух ММИ 1х2 и 2х2 (0.3 дБ), потерь в активной части модулятора (1.2 дБ) и потерь на\nраспространение на несовершенствах границ волновода (2.1 дБ/см =0.73 дБ/см).\nТакже предложен особый профиль легирования p-n перехода модулятора, обеспечивающий\nоптическую полосу частот 30 ГГц при величине обратного смещения в –3 вольта и длине модулятора\n2.5 мм. Модулятор сконструирован на гребенчатом оптическом волноводе шириной 600 мкм,\nвысотой гребня 200 нм и высотой планрного основани 200 нм, которое оптимально для изготовления\nрешеточных элементов связи, а фундаментальна мода данного гребенчатого волновода с\nпренебрежимо малыми потерями может быть трансформирована [1] с помощью инвертированного\nклина в широкий пучок планарного основания для последующего перехода с помощью\nдифракционной решетки в одномодовое оптическое волокно. Такие модуляторы могут найти\nприменение в устройствах интегральной оптики, оптической связи и радиофотоники.\nАвторы благодарят\nкомпанию Synopsys, Inc. за\nпредоставление лицензионного\nпрограммного обеспечения от\nRsoft для компьютерного\nмоделирования наших структур.\nРабота выполнена при частичной\nфинансовой поддержке\nМинистерства образования и\nнауки России, уникальный\nидентификатор работ (проекта) RFMEFI58117X0026, в части приобретения программного\nобеспечения, а также разработки и оптимизации оптической схемы модулятора на основе ММИ.\nРабота также выполнена при частичной поддержки гранта РНФ 19-19-00169 в части расчета\nэлектрофизических параметров модулятора на основе p-n перехода.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"169 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-08-20","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-465","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

Abstract

В настоящей работе представлены результаты численного моделирования электрооптического модулятора Маха-Цендера с применением делителей пучка на основе многомодовой интерференции (ММИ) в структуре кремний на изоляторе (КНИ). Управление обеспечивается за счет эффекта обеднения в вертикальном p-n переходе, который может быть изготовлен с помощью технологической процедуры самовыравнивания. Показано, что благодаря применению специального профиля легирования донорными примесями для формирования p-n перехода удается существенным образом оптимизировать свойства электрооптического модулятора на КНИ под заданную полосу рабочих частот и величину управляющего напряжения. В частности, предложена оптимальная конструкции модулятора бегущей волны, согласованного с внешней 50-омной нагрузкой, для которого при величине обратного смещения в -5 вольт и активной длине 1.7 мм возможна оптическая рабочая полоса частот около 50 ГГц. При этом модулятор на вертикальном p-n переходе будет иметь общую длину 7 мм и внутренние потери около 4 дБ, которые складываются из потерь на двух ММИ 1х2 и 2х2 (0.3 дБ), потерь в активной части модулятора (1.2 дБ) и потерь на распространение на несовершенствах границ волновода (2.1 дБ/см =0.73 дБ/см). Также предложен особый профиль легирования p-n перехода модулятора, обеспечивающий оптическую полосу частот 30 ГГц при величине обратного смещения в –3 вольта и длине модулятора 2.5 мм. Модулятор сконструирован на гребенчатом оптическом волноводе шириной 600 мкм, высотой гребня 200 нм и высотой планрного основани 200 нм, которое оптимально для изготовления решеточных элементов связи, а фундаментальна мода данного гребенчатого волновода с пренебрежимо малыми потерями может быть трансформирована [1] с помощью инвертированного клина в широкий пучок планарного основания для последующего перехода с помощью дифракционной решетки в одномодовое оптическое волокно. Такие модуляторы могут найти применение в устройствах интегральной оптики, оптической связи и радиофотоники. Авторы благодарят компанию Synopsys, Inc. за предоставление лицензионного программного обеспечения от Rsoft для компьютерного моделирования наших структур. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Министерства образования и науки России, уникальный идентификатор работ (проекта) RFMEFI58117X0026, в части приобретения программного обеспечения, а также разработки и оптимизации оптической схемы модулятора на основе ММИ. Работа также выполнена при частичной поддержки гранта РНФ 19-19-00169 в части расчета электрофизических параметров модулятора на основе p-n перехода.
p-n转换到微波调制器在硅/王者a . v、r . m。
本工作介绍了maha - sender电同步器数值模拟的结果,使用绝缘体硅结构中的多模干扰(mmi)。控制是通过垂直p-n跃迁的影响来实现的,可以通过技术上的自我调整程序来实现。显示,通过使用捐赠添加剂特别配置配置来创建p-n跃迁,可以显著优化电光调制器在给定的工作频率范围和控制电压方面的性能。具体来说,提供了与外部50伏载荷一致的运行波调制器的最佳设计,在逆变5伏和1.7毫秒有效时,光学频率约为50 ghz。p - nпереход垂直的调制器将产生65总长7毫米和国内损失约4 db的折叠изпотер两ММИ1х2和2(0.3 db)活动中,损失部分нараспространен调制器(1.2 db)和损失不完善边境波导(2.1 db / cm = 0.73 db / cm)。此外,还提供了p-n调制器转换的特殊剖面,提供了一个30 ghz频率带,其大小为3伏,长度为调制器。设计上凤头光学波导调制器宽度600µm山脊,海拔200 nm和高度为изготовлениярешеточнпланрн200 nm的最佳理由联系,时尚基本数据元素凤头波导спренебрежим低损失可能转变[1]通过инвертированногоклин广泛髻平面理由随后одномодов光纤的格栅和помощьюдифракцион过渡。这些调制器可以在集成光学、光通信和无线光子设备中找到应用。作者感谢Synopsys, Inc.为我们的结构提供了许可软件。这项工作是在俄罗斯因哈卡教育部部分财政支持下完成的,是rfmefi551717x0026软件收购的独特标识符,也是基于mba的光学调制器设计和优化光学电路的一部分。工作还在部分支持rf 19-19-00169基于p-n跃迁的计算物理参数的部分支持下完成。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
求助全文
约1分钟内获得全文 求助全文
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
确定
请完成安全验证×
copy
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
右上角分享
点击右上角分享
0
联系我们:info@booksci.cn Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。 Copyright © 2023 布克学术 All rights reserved.
京ICP备2023020795号-1
ghs 京公网安备 11010802042870号
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:604180095
Book学术官方微信