{"title":"Влияние физических свойств p-n перехода на СВЧ характеристики электрооптического модулятора на кремнии / Царев А. В., Тазиев Р. М","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-465","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В настоящей работе представлены результаты численного моделирования электрооптического\nмодулятора Маха-Цендера с применением делителей пучка на основе многомодовой интерференции\n(ММИ) в структуре кремний на изоляторе (КНИ). Управление обеспечивается за счет эффекта\nобеднения в вертикальном p-n переходе, который может быть изготовлен с помощью\nтехнологической процедуры самовыравнивания. Показано, что благодаря применению специального\nпрофиля легирования донорными примесями для формирования p-n перехода удается\nсущественным образом оптимизировать свойства электрооптического модулятора на КНИ под\nзаданную полосу рабочих частот и величину управляющего напряжения. В частности, предложена\nоптимальная конструкции модулятора бегущей волны, согласованного с внешней 50-омной\nнагрузкой, для которого при величине обратного смещения в -5 вольт и активной длине 1.7 мм\nвозможна оптическая рабочая полоса частот около 50 ГГц. При этом модулятор на вертикальном p-n\nпереходе будет иметь общую длину 7 мм и внутренние потери около 4 дБ, которые складываются из\nпотерь на двух ММИ 1х2 и 2х2 (0.3 дБ), потерь в активной части модулятора (1.2 дБ) и потерь на\nраспространение на несовершенствах границ волновода (2.1 дБ/см =0.73 дБ/см).\nТакже предложен особый профиль легирования p-n перехода модулятора, обеспечивающий\nоптическую полосу частот 30 ГГц при величине обратного смещения в –3 вольта и длине модулятора\n2.5 мм. Модулятор сконструирован на гребенчатом оптическом волноводе шириной 600 мкм,\nвысотой гребня 200 нм и высотой планрного основани 200 нм, которое оптимально для изготовления\nрешеточных элементов связи, а фундаментальна мода данного гребенчатого волновода с\nпренебрежимо малыми потерями может быть трансформирована [1] с помощью инвертированного\nклина в широкий пучок планарного основания для последующего перехода с помощью\nдифракционной решетки в одномодовое оптическое волокно. Такие модуляторы могут найти\nприменение в устройствах интегральной оптики, оптической связи и радиофотоники.\nАвторы благодарят\nкомпанию Synopsys, Inc. за\nпредоставление лицензионного\nпрограммного обеспечения от\nRsoft для компьютерного\nмоделирования наших структур.\nРабота выполнена при частичной\nфинансовой поддержке\nМинистерства образования и\nнауки России, уникальный\nидентификатор работ (проекта) RFMEFI58117X0026, в части приобретения программного\nобеспечения, а также разработки и оптимизации оптической схемы модулятора на основе ММИ.\nРабота также выполнена при частичной поддержки гранта РНФ 19-19-00169 в части расчета\nэлектрофизических параметров модулятора на основе p-n перехода.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"169 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-08-20","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-465","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Abstract
В настоящей работе представлены результаты численного моделирования электрооптического
модулятора Маха-Цендера с применением делителей пучка на основе многомодовой интерференции
(ММИ) в структуре кремний на изоляторе (КНИ). Управление обеспечивается за счет эффекта
обеднения в вертикальном p-n переходе, который может быть изготовлен с помощью
технологической процедуры самовыравнивания. Показано, что благодаря применению специального
профиля легирования донорными примесями для формирования p-n перехода удается
существенным образом оптимизировать свойства электрооптического модулятора на КНИ под
заданную полосу рабочих частот и величину управляющего напряжения. В частности, предложена
оптимальная конструкции модулятора бегущей волны, согласованного с внешней 50-омной
нагрузкой, для которого при величине обратного смещения в -5 вольт и активной длине 1.7 мм
возможна оптическая рабочая полоса частот около 50 ГГц. При этом модулятор на вертикальном p-n
переходе будет иметь общую длину 7 мм и внутренние потери около 4 дБ, которые складываются из
потерь на двух ММИ 1х2 и 2х2 (0.3 дБ), потерь в активной части модулятора (1.2 дБ) и потерь на
распространение на несовершенствах границ волновода (2.1 дБ/см =0.73 дБ/см).
Также предложен особый профиль легирования p-n перехода модулятора, обеспечивающий
оптическую полосу частот 30 ГГц при величине обратного смещения в –3 вольта и длине модулятора
2.5 мм. Модулятор сконструирован на гребенчатом оптическом волноводе шириной 600 мкм,
высотой гребня 200 нм и высотой планрного основани 200 нм, которое оптимально для изготовления
решеточных элементов связи, а фундаментальна мода данного гребенчатого волновода с
пренебрежимо малыми потерями может быть трансформирована [1] с помощью инвертированного
клина в широкий пучок планарного основания для последующего перехода с помощью
дифракционной решетки в одномодовое оптическое волокно. Такие модуляторы могут найти
применение в устройствах интегральной оптики, оптической связи и радиофотоники.
Авторы благодарят
компанию Synopsys, Inc. за
предоставление лицензионного
программного обеспечения от
Rsoft для компьютерного
моделирования наших структур.
Работа выполнена при частичной
финансовой поддержке
Министерства образования и
науки России, уникальный
идентификатор работ (проекта) RFMEFI58117X0026, в части приобретения программного
обеспечения, а также разработки и оптимизации оптической схемы модулятора на основе ММИ.
Работа также выполнена при частичной поддержки гранта РНФ 19-19-00169 в части расчета
электрофизических параметров модулятора на основе p-n перехода.