Исследование температурной зависимости границ спектральной характеристики чувствительности фотомодулей на основе КРТ

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI:10.34077/rcsp2021-141

В.С. Ковшов, Антон Викторович Никонов, К.О. Болтарь

{"title":"Исследование температурной зависимости границ спектральной характеристики\nчувствительности фотомодулей на основе КРТ","authors":"В.С. Ковшов, Антон Викторович Никонов, К.О. Болтарь","doi":"10.34077/rcsp2021-141","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Повышение требований к тактико-техническим характеристикам оптико-электронных систем ИКдиапазона, наблюдаемое в последнее десятилетие, является катализатором для непрерывного\nсовершенствования и оптимизации технологии изготовления современных фотоприемных устройств.\nОсобые требования предъявляются в первую очередь к полупроводниковым материалам и\nсоединениям на их основе, используемым для изготовления фоточувствительных элементов.\nФотомодули на основе гетероэпитаксиальных структур тройных соединений кадмий-ртуть-теллур\n(КРТ) стабильно занимают широкую область рынка изделий фотоэлектроники [1, 2]. Вместе с тем,\nперед разработчиками стоит вопрос совершенствования технологии изготовления таких фотомодулей.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"27 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-141","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

Повышение требований к тактико-техническим характеристикам оптико-электронных систем ИКдиапазона, наблюдаемое в последнее десятилетие, является катализатором для непрерывного совершенствования и оптимизации технологии изготовления современных фотоприемных устройств. Особые требования предъявляются в первую очередь к полупроводниковым материалам и соединениям на их основе, используемым для изготовления фоточувствительных элементов. Фотомодули на основе гетероэпитаксиальных структур тройных соединений кадмий-ртуть-теллур (КРТ) стабильно занимают широкую область рынка изделий фотоэлектроники [1, 2]. Вместе с тем, перед разработчиками стоит вопрос совершенствования технологии изготовления таких фотомодулей.

查看原文本刊更多论文

基于crt的光敏模光谱特征边界温度关系研究

在过去10年里观察到的光电系统战术和技术特性的提高是现代光电接收技术不断改进和优化的催化剂。特别要求主要针对用于光敏元件制造的半导体化合物。= =光电产品= =三聚氰胺-汞-特鲁尔化合物(crt)的异形体结构稳定地占据了光电产品的广泛领域(1、2)。然而，开发人员面临的问题是如何改进这种光电模块的技术。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ

自引率

0.00%

发文量