SOI related simulation challenges with moment based BTE solvers

2000 International Conference on Simulation Semiconductor Processes and Devices (Cat. No.00TH8502) Pub Date : 2000-09-06 DOI:10.1109/SISPAD.2000.871253

J.L. Egley, B. Polsky, B. Min, E. Lyumkis, O. Penzin, M. Foisy

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Abstract

We discuss challenges particular to SOI simulation. We also show evidence of what we believe is hot carrier diffusion out of the channel near the drain, giving rise to a negative differential conductivity (NDC), or a transient region in an I/sub D/-V/sub D/ curve on SOI.

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基于矩的BTE求解器的SOI相关仿真挑战

我们讨论了SOI模拟所特有的挑战。我们还展示了我们认为的热载流子扩散出漏极附近通道的证据，导致负微分电导率(NDC)，或SOI上I/sub D/-V/sub D/曲线中的瞬态区域。

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