High-power single-mode multijunction VCSEL

2022 28th International Semiconductor Laser Conference (ISLC) Pub Date : 2022-10-16 DOI:10.23919/ISLC52947.2022.9943419

M. Dummer, A. Ghods, K. Tatah, K. Johnson

引用次数: 1

Abstract

We demonstrate a single mode 940nm VCSEL with a five-junction bipolar cascade active region. The device achieves 11 mW output power and 44 dB sidemode suppression ratio under continuous wave, room temperature operation. Peak power conversion and slope efficiency are 51% and 5.4 W/ A, respectively.

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大功率单模多结VCSEL

我们展示了一个具有五结双极级联有源区的单模940nm VCSEL。在连续波、室温工作下，器件输出功率为11mw，侧模抑制比为44db。峰值功率转换为51%，斜率效率为5.4 W/ A。

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2022 28th International Semiconductor Laser Conference (ISLC)

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