СВЧ-фотокондактанс квантового точечного контакта

Abstract

представлены первые результаты измерений отклика КТК на СВЧоблучение структуры с частотой 2.4 ГГц и результаты разработки модели отклика, охватывающей туннельный и многомодовый режимы короткого (100 нм) сужения. Стандартные 4-x терминальные измерения и расчеты кондактанса по этой модели, будучи в хорошем согласии во всем интервале интенсивностей облучения, показали гигантский фотокондактанс КТК (рост кондактанса до двух порядков величины) в туннельном режиме и отрицательный фотокондактанс с понижением кондактанса до двух раз в открытом режиме [3]. Впервые для этих структур измерения проведены в максимально большом диапазоне, начиная от затворного напряжения Vg=0 (невозмущенный ДЭГ) до наиболее обедняющего напряжения, отвечающего кондактансу на 5 порядков ниже кванта 2e 2 /h. Отметим, что при использованных интенсивностях облучения можно пренебречь нагревом ДЭГ. Результат измерений фотокондактанса КТК был качественно одинаковым в случае нескольких образцов с расщепленным и сплошным затвором, формирующих сужения, хотя интервал изменения управляющего затворного напряжения мог меняться в пределах 1 В для разных типов затвора.