Growth direction dependence of polarization properties in surface-emitting lasers with strained quantum wells

Proceedings of IEEE 14th International Semiconductor Laser Conference Pub Date : 1994-09-19 DOI:10.1109/ISLC.1994.519310

T. Ohtoshi, T. Kuroda, A. Niwa, S. Tsuji, K. Uomi

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Abstract

Polarization properties of surface-emitting lasers are analyzed theoretically for various crystallographic directions. In strained quantum wells on (NN1) substrates (N/spl ges/2), the polarization can be controlled, facilitating high optical gains.

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