Особенности спектров фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) / Иконников А.В., Черничкин В.И., Дудин В.C., Акопян Д.А., Акимов А.Н., Климов А.Э., Терещенко О.Е., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.

{"title":"Особенности спектров фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) / Иконников А.В., Черничкин В.И., Дудин В.C., Акопян Д.А., Акимов А.Н., Климов А.Э., Терещенко О.Е., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-325","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Твердые растворы на основе халькогенидов свинца и, в частности PbSnTe, традиционно\nрассматривались как перспективные материалы для приемников и лазеров инфракрасного диапазона\nна межзонных переходах [1]. Однако, оказалось, что уникальные свойства ряда примесей (например,\nиндием) [2] позволяют использовать эти материалы в качестве примесных приемников терагерцевого\n(ТГц) и даже суб-ТГц диапазонов [3]. Тем не менее, в литературе практически не представлены\nспектры фотопроводимости (ФП) в указанных материалах, что бы позволило напрямую извлечь\nинформацию об энергетическом спектре примесных состояний. Это связано с высокой\nфоточувствительностью образцов, в результате чего засвеченный теплыми частями криостата\nобразец оказывается в состоянии с высокой проводимостью, на фоне которой не удается\nзарегистрировать фотоотклик. В настоящей работе удалось выполнить измерения спектров ФП за\nсчет выбора образцов с уровнем легирования In, недостаточным для стабилизации уровня Ферми [2],\nи с быстрым временем релаксации, что позволило наблюдать фотоотклик даже в условиях фоновой\nзасветки.\nИсследуемые образцы были выращены\nметодом молекулярно-пучковой эпитаксии\nкак на подложках BaF2, так и Si. Толщина\nпленок Pb1−xSnxTe составляла 1–2 мкм, состав\nx был около 0.25. Спектры ФП измерялись\nс помощью фурье-спектрометра Bruker Vertex\n70v при T = 4.2 — 40 K.\nВ спектрах наблюдались как\nособенности, связанные с межзонной\nфотопроводимостью, так и пики, связанные с\nпримесно-дефектными центрами.\nУвеличение температуры приводило к сдвигу\nкрасной границы межзонного поглощения\n(направление сдвига определялось как\nизменением ширины запрещенной зоны, так и\nуменьшением концентрации носителей заряда и, соответственно, уменьшением эффекта Бурштейна\n— Мосса), в то время, как положение примесных линий не изменялось. Анализ изменений\nинтенсивности примесных особенностей в спектрах ФП при изменении температуры и при подсветке\nсиним светодиодом позволил разделить примесные линии, связанные с объемными и\nповерхностными состояниями. Предложена модель, описывающая энергетические уровни примесных\nсостояний.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"9 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-08-20","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-325","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

Abstract

Твердые растворы на основе халькогенидов свинца и, в частности PbSnTe, традиционно рассматривались как перспективные материалы для приемников и лазеров инфракрасного диапазона на межзонных переходах [1]. Однако, оказалось, что уникальные свойства ряда примесей (например, индием) [2] позволяют использовать эти материалы в качестве примесных приемников терагерцевого (ТГц) и даже суб-ТГц диапазонов [3]. Тем не менее, в литературе практически не представлены спектры фотопроводимости (ФП) в указанных материалах, что бы позволило напрямую извлечь информацию об энергетическом спектре примесных состояний. Это связано с высокой фоточувствительностью образцов, в результате чего засвеченный теплыми частями криостата образец оказывается в состоянии с высокой проводимостью, на фоне которой не удается зарегистрировать фотоотклик. В настоящей работе удалось выполнить измерения спектров ФП за счет выбора образцов с уровнем легирования In, недостаточным для стабилизации уровня Ферми [2], и с быстрым временем релаксации, что позволило наблюдать фотоотклик даже в условиях фоновой засветки. Исследуемые образцы были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии как на подложках BaF2, так и Si. Толщина пленок Pb1−xSnxTe составляла 1–2 мкм, состав x был около 0.25. Спектры ФП измерялись с помощью фурье-спектрометра Bruker Vertex 70v при T = 4.2 — 40 K. В спектрах наблюдались как особенности, связанные с межзонной фотопроводимостью, так и пики, связанные с примесно-дефектными центрами. Увеличение температуры приводило к сдвигу красной границы межзонного поглощения (направление сдвига определялось как изменением ширины запрещенной зоны, так и уменьшением концентрации носителей заряда и, соответственно, уменьшением эффекта Бурштейна — Мосса), в то время, как положение примесных линий не изменялось. Анализ изменений интенсивности примесных особенностей в спектрах ФП при изменении температуры и при подсветке синим светодиодом позволил разделить примесные линии, связанные с объемными и поверхностными состояниями. Предложена модель, описывающая энергетические уровни примесных состояний.
传统上,铅的halcogenids,特别是PbSnTe,被认为是接收器和跨界红外波段激光器的首选材料(1)。然而,一些杂质(如印度)的独特特性被证明允许使用这些材料作为teragetsev (tgc)的杂质接收器,甚至是亚型tgz范围(3)。然而,这些材料中几乎没有光导谱(fp),因此可以直接提取有关杂质能量谱的信息。这与样品的高光敏性有关,因此低温样品的热部分暴露在高导电性状态下,无法记录光电反应。本工作通过选择不稳定费米(2)水平的样品来完成fp光谱测量,并迅速放松,即使在声纳下也能观察到光电反应。研究样本是在BaF2和Si底座上使用分子束外延法培育出来的。Pb1 - xSnxTe厚度为1 - 2 m,合成量约为0.25。fp光谱是由Bruker verte70v在T = 4.2 - 40 K下用傅里叶光谱仪测量的。光谱显示了与跨区域光电传导有关的不确定性,以及与有缺陷中心有关的峰值。温度的增加导致了跨区域吸收的红线转移(转移的方向是由电荷载流子的宽度决定的),从而减少电荷载流子的浓度,从而减少波斯坦-莫斯效应。在温度变化和浅色led下,分析fp光谱中杂质强度的变化,可以分离出与体积和表面状态有关的杂质线。提出了一种描述杂质能量水平的模型。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
求助全文
约1分钟内获得全文 求助全文
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
确定
请完成安全验证×
copy
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
右上角分享
点击右上角分享
0
联系我们:info@booksci.cn Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。 Copyright © 2023 布克学术 All rights reserved.
京ICP备2023020795号-1
ghs 京公网安备 11010802042870号
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:604180095
Book学术官方微信