{"title":"Особенности спектров фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) / Иконников А.В., Черничкин В.И., Дудин В.C., Акопян Д.А., Акимов А.Н., Климов А.Э., Терещенко О.Е., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-325","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Твердые растворы на основе халькогенидов свинца и, в частности PbSnTe, традиционно\nрассматривались как перспективные материалы для приемников и лазеров инфракрасного диапазона\nна межзонных переходах [1]. Однако, оказалось, что уникальные свойства ряда примесей (например,\nиндием) [2] позволяют использовать эти материалы в качестве примесных приемников терагерцевого\n(ТГц) и даже суб-ТГц диапазонов [3]. Тем не менее, в литературе практически не представлены\nспектры фотопроводимости (ФП) в указанных материалах, что бы позволило напрямую извлечь\nинформацию об энергетическом спектре примесных состояний. Это связано с высокой\nфоточувствительностью образцов, в результате чего засвеченный теплыми частями криостата\nобразец оказывается в состоянии с высокой проводимостью, на фоне которой не удается\nзарегистрировать фотоотклик. В настоящей работе удалось выполнить измерения спектров ФП за\nсчет выбора образцов с уровнем легирования In, недостаточным для стабилизации уровня Ферми [2],\nи с быстрым временем релаксации, что позволило наблюдать фотоотклик даже в условиях фоновой\nзасветки.\nИсследуемые образцы были выращены\nметодом молекулярно-пучковой эпитаксии\nкак на подложках BaF2, так и Si. Толщина\nпленок Pb1−xSnxTe составляла 1–2 мкм, состав\nx был около 0.25. Спектры ФП измерялись\nс помощью фурье-спектрометра Bruker Vertex\n70v при T = 4.2 — 40 K.\nВ спектрах наблюдались как\nособенности, связанные с межзонной\nфотопроводимостью, так и пики, связанные с\nпримесно-дефектными центрами.\nУвеличение температуры приводило к сдвигу\nкрасной границы межзонного поглощения\n(направление сдвига определялось как\nизменением ширины запрещенной зоны, так и\nуменьшением концентрации носителей заряда и, соответственно, уменьшением эффекта Бурштейна\n— Мосса), в то время, как положение примесных линий не изменялось. Анализ изменений\nинтенсивности примесных особенностей в спектрах ФП при изменении температуры и при подсветке\nсиним светодиодом позволил разделить примесные линии, связанные с объемными и\nповерхностными состояниями. Предложена модель, описывающая энергетические уровни примесных\nсостояний.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"9 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-08-20","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-325","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Abstract
Твердые растворы на основе халькогенидов свинца и, в частности PbSnTe, традиционно
рассматривались как перспективные материалы для приемников и лазеров инфракрасного диапазона
на межзонных переходах [1]. Однако, оказалось, что уникальные свойства ряда примесей (например,
индием) [2] позволяют использовать эти материалы в качестве примесных приемников терагерцевого
(ТГц) и даже суб-ТГц диапазонов [3]. Тем не менее, в литературе практически не представлены
спектры фотопроводимости (ФП) в указанных материалах, что бы позволило напрямую извлечь
информацию об энергетическом спектре примесных состояний. Это связано с высокой
фоточувствительностью образцов, в результате чего засвеченный теплыми частями криостата
образец оказывается в состоянии с высокой проводимостью, на фоне которой не удается
зарегистрировать фотоотклик. В настоящей работе удалось выполнить измерения спектров ФП за
счет выбора образцов с уровнем легирования In, недостаточным для стабилизации уровня Ферми [2],
и с быстрым временем релаксации, что позволило наблюдать фотоотклик даже в условиях фоновой
засветки.
Исследуемые образцы были выращены
методом молекулярно-пучковой эпитаксии
как на подложках BaF2, так и Si. Толщина
пленок Pb1−xSnxTe составляла 1–2 мкм, состав
x был около 0.25. Спектры ФП измерялись
с помощью фурье-спектрометра Bruker Vertex
70v при T = 4.2 — 40 K.
В спектрах наблюдались как
особенности, связанные с межзонной
фотопроводимостью, так и пики, связанные с
примесно-дефектными центрами.
Увеличение температуры приводило к сдвигу
красной границы межзонного поглощения
(направление сдвига определялось как
изменением ширины запрещенной зоны, так и
уменьшением концентрации носителей заряда и, соответственно, уменьшением эффекта Бурштейна
— Мосса), в то время, как положение примесных линий не изменялось. Анализ изменений
интенсивности примесных особенностей в спектрах ФП при изменении температуры и при подсветке
синим светодиодом позволил разделить примесные линии, связанные с объемными и
поверхностными состояниями. Предложена модель, описывающая энергетические уровни примесных
состояний.