256Kb CMNOS EPROM

1984 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers Pub Date : 1900-01-01 DOI:10.1109/ISSCC.1984.1156664

Te-Long Chiu, Tsung-Ching Wu, G. Perlegos

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Abstract

A 125ns, 50mW 256Kb EPROM featuring 12V-16V programming will be described. The design utilizes a 1.5μm N-well CMOS on epi technology resulting In a cell size of 37.5μm²and a die size of 180 mil ×180 mil.

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256Kb CMNOS EPROM

一个125ns, 50mW 256Kb EPROM，具有12V-16V编程。该设计采用1.5μm n阱CMOS on epi技术，电池尺寸为37.5μm2，芯片尺寸为180 mil ×180 mil。

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1984 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers

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