АНАЛІЗ ДОЦІЛЬНОСТІ ВИКОРИСТАННЯ НЕГАТИВНОГО ЗВОРОТНЬОГО ЗВ’ЯЗКУ НА ЗМІННОМУ СТРУМІ ДЛЯ СТАБІЛІЗАЦІЇ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРНИХ АНАЛОГІВ ІНДУКТИВНОСТІ

Abstract

Устатті розглядається доцільності використання негативного зворотнього зв’язку на змінному струмі для стабілізації параметрів транзисторних аналогів індуктивності. Проаналізовано транзисторні каскади із спільним колектором та внесеною реактивністю між базою та колектором. Розглянуто вплив паралельного, послідовного та паралельно-послідовного зворотнього зв’язку на них. Проведені розрахунки залежностей активного, реактивного опору, індуктивності та добротності в функції глибини паралельного негативного зворотнього зв’язку(НЗЗ), наведені графіки залежностей еквівалентної індуктивності і добротності. Доведено ефективність стабілізації параметрів транзисторних аналогів індуктивності (при змінному та постійному струмі) при взаємодії таких дестабілізуючих факторів як нестабільність джерел живлення, зміну температури в діапазоні до +50° для германієвих та +70° для кремнієвих транзисторів. Наведена базова схема транзистора для проведення аналізу впливу паралельного НЗЗ, на основі якої виведена спрощена еквівалентна схема з врахуванням впливу опору зворотнього зв’язку, а також розрахункова схема, отримана переутворюючи трикутник в еквівалентну зірку. Використовуючи метод контурних струмів і виконуючи неважкі перетворення отримані вирази для визначення вхідного активного та реактивного опорів, індуктивності, добротності окремих схем та узагальнених випадків. Доведено, що температурна стабільність значно покращується при заміні постійних опорів температурно-чуттєвими елементами. Наведено одну із схем транзисторних аналогів індуктивності із використанням термочутливого елементу в колі живлення.