Design and realization of high-power distributed-feedback lasers emitting at 860 nm

IEEE 18th International Semiconductor Laser Conference Pub Date : 2002-12-10 DOI:10.1109/ISLC.2002.1041170

H. Wenzel, M. Braun, J. Fricke, A. Klehr, A. Knauer, P. Ressel, G. Erbert, G. Trankle

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Abstract

Summary form only given. AlGaAs/InGaAsP ridge-waveguide distributed-feedback lasers emitting at 860 nm a continuous-wave output power of more than 400 mW at 25/spl deg/C are reported.

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860nm高功率分布式反馈激光器的设计与实现

只提供摘要形式。报道了在25/spl度/C条件下，发射860nm连续输出功率超过400mw的AlGaAs/InGaAsP脊波导分布反馈激光器。

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IEEE 18th International Semiconductor Laser Conference

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