A 128K flash EEPROM using double polysilicon technology

1987 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers Pub Date : 1900-01-01 DOI:10.1109/ISSCC.1987.1157210

G. Samachisa, C. Su, Y. Kao, G. Smarandoiu, T. Wong, C. Hu

引用次数: 10

Abstract

An EEPROM with a 43μm2cell containing an integral select transistor will be reported. The chip features 140ns access time, 1ms/byte program time, 1s chip erase time and 1000 cycle endurance. Yields of the 4.6×3.4mm chip in a 2.5μm NMOS process are comparable to those of an EPROM.

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采用双多晶硅技术的128K闪存EEPROM

一个43μm2单元的EEPROM包含一个集成选择晶体管将被报道。该芯片具有140ns的访问时间，1ms/byte的程序时间，1s的芯片擦除时间和1000个周期的寿命。在2.5μm NMOS工艺中4.6×3.4mm芯片的产率与EPROM相当。

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1987 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers

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