Measurement of the near infrared absorption of Ge on Si films by differential spectroscopy

2008 5th IEEE International Conference on Group IV Photonics Pub Date : 2008-10-07 DOI:10.1109/GROUP4.2008.4638122

V. Sorianello, A. Perna, L. Colace, G. Assanto, H. Luan, L. Kimerling

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Abstract

Using a differential method on epitaxially grown Ge films on silicon, we measure the near-infrared absorption and its temperature dependence.

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