{"title":"ИЗЛУЧЕНИЕ, ВОЗНИКАЮЩЕЕ ПРИ ЗАХВАТЕ СВОБОДНОГО ЭЛЕКТРОНА В КАНАЛИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ","authors":"Н. П. Калашников, А. С. Ольчак","doi":"10.26583/vestnik.2022.237","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"При влете заряженной частицы в монокристалл происходит перестройка плоской волновой функции свободного электрона в суперпозицию локализованных волновых функций дискретных состояний движения в режиме каналирования. Перестройка волновой функции электрона из свободного в каналированное состояние может произойти упруго, но может и сопровождаться квазихарактеристическим переходным электромагнитным излучением, возникающим на границе кристалла. Это переходное излучение дополняет хорошо известный тип излучения, возникающий в глубине кристалла при переходах каналированных частиц между дискретными состояниями квазисвязанного поперечного движения. Цель статьи – сравнение интенсивностей этих двух типов излучения. ","PeriodicalId":118070,"journal":{"name":"Вестник НИЯУ МИФИ","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2023-04-17","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Вестник НИЯУ МИФИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.26583/vestnik.2022.237","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Abstract
При влете заряженной частицы в монокристалл происходит перестройка плоской волновой функции свободного электрона в суперпозицию локализованных волновых функций дискретных состояний движения в режиме каналирования. Перестройка волновой функции электрона из свободного в каналированное состояние может произойти упруго, но может и сопровождаться квазихарактеристическим переходным электромагнитным излучением, возникающим на границе кристалла. Это переходное излучение дополняет хорошо известный тип излучения, возникающий в глубине кристалла при переходах каналированных частиц между дискретными состояниями квазисвязанного поперечного движения. Цель статьи – сравнение интенсивностей этих двух типов излучения.