Tantalum-gate SOI MOSFET's featuring excellent threshold voltage control in low-power applications

1995 IEEE International SOI Conference Proceedings Pub Date : 1995-10-03 DOI:10.1109/SOI.1995.526478

H. Shimada, T. Ushiki, Y. Hirano, T. Ohmi

引用次数: 7

Abstract

In this paper it is successfully demonstrated that Ta-gate SOI MOSFETs have excellent threshold voltage control in 1V applications.

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钽栅极SOI MOSFET在低功耗应用中具有出色的阈值电压控制

本文成功地证明了ta栅极SOI mosfet在1V应用中具有优异的阈值电压控制。

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