UHVCVD growth of Ge/SiGe multiple quantum wells for electro-absorption modulation

8th IEEE International Conference on Group IV Photonics Pub Date : 2011-11-01 DOI:10.1109/GROUP4.2011.6053800

Hongwei Zhao, Weixuan Hu, C. Xue, B. Cheng, Qiming Wang

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Abstract

Ge/SiGe multiple quantum wells (MQWs) are grown on silicon substrates using ultra-high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) technique. The quantum-confined Stark effect (QCSE) is clearly observed in our MQWs structure.

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电吸收调制用Ge/SiGe多量子阱的UHVCVD生长

采用超高真空化学气相沉积(UHVCVD)技术在硅衬底上生长Ge/SiGe多量子阱(mqw)。在我们的量子阱结构中清晰地观察到量子受限的斯塔克效应(QCSE)。

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