Full comparison between analytical results, electrical modeling and measurements for the noise behavior of a SiGe HBT

2010 IEEE ANDESCON Pub Date : 2010-11-11 DOI:10.1109/ANDESCON.2010.5632410

A. Pacheco-Sánchez, M. Enciso-Aguilar, L. Rodriguez-Mendez

引用次数: 4

Abstract

In this paper we proposed a model for describe noise in SiGe HBTs that is implemented in software ADS and analyzed through a rigorous method described by Hudec. Results for both, modeled and analytical results are compared between them and experimental results.

查看原文本刊更多论文

全面比较分析结果，电气模型和测量的噪声行为的SiGe HBT

在本文中，我们提出了一个描述SiGe hbt噪声的模型，该模型在软件ADS中实现，并通过Hudec描述的严格方法进行分析。将模型和分析结果与实验结果进行了比较。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

2010 IEEE ANDESCON

自引率

0.00%

发文量