L А ND А U LEVELS IN TW О -DIMENSI О N А L SEMIC О NDUCT О R STRUCTURES

SEMOCONDUCTOR PHYSICS AND MICROELECTRONICS Pub Date : 2021-08-30 DOI:10.37681/2181-1652-019-x-2021-4-1

G. Guly а m о v, J.I. Mirz а ev, U.I. Erk а b о ev, А. .. О. .. Y о qubj о n о v

引用次数: 0

Abstract

В данной статье проводится математическое моделирование процессов с использованием экспериментальных значений непрерывного спектра плотности состояний в двумерных электронных газах и показана возможность расчета дискретных уровней Ландау . Предложена теория температурной зависимости колебаний квантового эффекта с учетом теплового уширения уровней Ландау в двумерных полупроводниковых структурах . Получено аналитическое выражение для расчета влияния давления на уровни Ландау электронов в зоне проводимости

查看原文本刊更多论文

美国洛杉矶АNDА水平在TWО-DIMENSIОNАL SEMICОNDUCTОR STRUCTURES

本文使用二维电子气体连续光谱的实验值对过程进行数学模拟，并显示了计算离散级别兰道的可能性。考虑到兰道氏二维半导体结构中的热膨胀，提出了量子效应温度关系理论。有一个分析表达式来计算电导率兰道电子水平的压力影响。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

SEMOCONDUCTOR PHYSICS AND MICROELECTRONICS

自引率

0.00%

发文量