A 4Mb Pseudo SRAM Operating At 2.6//sup +/sub -//1V With 3/spl mu/A Data Retention Current

1991 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers Pub Date : 1991-02-13 DOI:10.1109/ISSCC.1991.689155

K. Sato, T. Kajimoto, H. Kawamoto, K. Kenmizaki, S. Kubono, T. Mochizuki, H. Aoyagi, M. Kanamitsu, S. Kunito, S. Sano, A. Ogishima

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4Mb伪SRAM，工作电压为2.6//sup +/sub -//1V，数据保持电流为3/spl mu/A

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