Radiation Effects in Thin-Film Ferroelectric PZT for Non-Volatile Memory Applications in Microelectronics

Abstract

Cet article traite des effets des radiations ionisantes (rayons X ou γ) dans les materiaux ferroelectriques destines aux composants electroniques utilisant des couches minces polarisables (memoires non-volatiles). Apres avoir rappele les types d'observations, on propose certains mecanismes pour decrire ces effets dans les capacites a base de PZT. Les effets de fatigue du cycle d'hysteresis sont etudies et interpretes en les couplant aux effets d'une irradiation. Comme l'irradiation, la fatigue par cyclage montre un aplatissement des courbes d'hysteresis. Dans cet expose, on montre qu'il existe un parallele entre les effets des irradiations et de la fatigue. Un mecanisme est propose base sur le mouvement des parois de domaine et son empechement progressif par epinglage des parois.