A 16K E2PROM

1982 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers Pub Date : 1900-01-01 DOI:10.1109/ISSCC.1982.1156403

Giora Yaron, Mark EbeI, Jayasimha Prasad, Bruce Leong

引用次数: 2

Abstract

A 16K floating-gate thin oxide (<150Å) E²PROM utilizing a single direct wafer stepper masking step for the definition of the electron tunneling area (1.5×1.5μ^{2}) will be discussed. Device requires only a dc level Vppsignal for its operation and features threshold bit mapping.

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16k的e2prom

我们将讨论一种16K浮栅薄氧化物(2PROM)，它利用单个直接晶圆步进掩蔽步骤来定义电子隧穿区(1.5×1.5μ^{2})。设备只需要一个直流电平的vpp信号进行操作，并具有阈值位映射的特征。

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