A process scheme chosen for BiCMOS circuit

1994 IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting Pub Date : 1994-07-18 DOI:10.1109/HKEDM.1994.395141

J. Bian, W. Lu

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Abstract

Based on bipolar and metal-gate CMOS processes, and utilizing a process simulation method to calculate the key process parameter, an optimum BiCMOS process is obtained for HKE5833 serial-input latched drivers.<>

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为BiCMOS电路选择的工艺方案

基于双极和金属栅CMOS工艺，利用工艺仿真方法计算关键工艺参数，得到了HKE5833串行输入锁存驱动器的最佳工艺。

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1994 IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting

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