Extremely small active stripe laser diodes (EXSAS-LDs) for 17-channel low threshold array

Proceedings of IEEE 14th International Semiconductor Laser Conference Pub Date : 1994-09-19 DOI:10.1109/ISLC.1994.519151

S. Kitamura, T. Sasaki, K. Komatsu, M. Kitamura

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Abstract

Summary form only given. Uniform 17-channel array of low threshold (3.5 mA, av.). 1.3 /spl mu/m wavelength lasers was realized with submicron wide bulk active layers grown by selective MOVPE technique.

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用于17通道低阈值阵列的极小有源条纹激光器(exsas - ld)

只提供摘要形式。均匀17通道阵列低阈值(3.5 mA, av.)。利用选择性MOVPE技术生长的亚微米宽块体活性层实现了1.3 /spl μ m波长激光器。

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Proceedings of IEEE 14th International Semiconductor Laser Conference

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