A 288Kb CMOS pseudo SRAM

1984 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers Pub Date : 1900-01-01 DOI:10.1109/ISSCC.1984.1156683

H. Kawamoto, Y. Yamaguchi, S. Shimizu, K. Ohishi, N. Tanimura, T. Yasui

引用次数: 7

Abstract

This paper will report on an externally nonclocked 32K×9b PSRAM that employs an N channel dynamic transistor cell, 6.8μm× 13.6μm, with 5.58mm × 9.86mm die size.

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288Kb CMOS伪SRAM

本文将报道一种外部无时钟32K×9b PSRAM，它采用N通道动态晶体管单元，6.8μ mx13.6 μm，芯片尺寸为5.58mm × 9.86mm。

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1984 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers

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