A 2-W Ku-Band Monolithic GaAs FET Amplifier

Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Pub Date : 1985-06-01 DOI:10.1109/MCS.1985.1113631

H. Macksey, H. Tserng, H. Shih

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Abstract

A monolithic three-stage Ku-band GaAs FET power amplifier has been designed, fabricated. Epitaxial layers are grown by molecular beam epitaxy FETs have a source overlay geometry with the n+ ledge channel structure. The amplifiers have up to 2 W output power at 16.5 GHz with 12 dB gain, 20% efficiency.

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Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits

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