A NMOS 64K static RAM

1982 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers Pub Date : 1900-01-01 DOI:10.1109/ISSCC.1982.1156360

A. Ebel, G. Atwood, E. So, S. Liu, V. Kynett, R. Jecmen, J. Mingo, Haiping Dun

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Abstract

A 50ns 8K×8 static RAM developed with a double-poly/ scaled NMOS technology will be reported. The RAM memory cell is 0.5 mil²resulting in a 64K die size of 54756 mil².

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一个NMOS 64K静态RAM

本文将报道一种采用双聚/缩放NMOS技术开发的50ns 8K×8静态RAM。RAM内存单元为0.5 mil2，因此64K的芯片尺寸为54756 mil2。

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1982 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers

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