A 1024 Bits R M M Memory with T T L Compatibility

ESSCIRC 76: 2nd European Solid State Circuits Conference Pub Date : 1976-09-01 DOI:10.1109/ESSCIRC.1976.5469233

E. Mackowiak, V. Le Goascoz

引用次数: 0

Abstract

We present a MNOS 1 Kbit R M M memory built on silicon on sapphire. Test results are given and compared to simulation in the 0 - 70°C temperature range.

查看原文本刊更多论文

1024位rmb内存，支持T T L兼容

我们提出了一种基于蓝宝石上硅的mnos1kbit R内存。给出了0 ~ 70℃温度范围内的试验结果，并与仿真结果进行了比较。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

ESSCIRC 76: 2nd European Solid State Circuits Conference

自引率

0.00%

发文量