Замена туннельных переходов в структурах на основе InP на каналы проводимости.

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI:10.34077/rcsp2021-122

А.Е. Маричев, В.С. Эполетов, Александр Сергеевич Власов

{"title":"Замена туннельных переходов в структурах на основе InP на каналы проводимости.","authors":"А.Е. Маричев, В.С. Эполетов, Александр Сергеевич Власов","doi":"10.34077/rcsp2021-122","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В настоящее время, наиболее эффективные фотоэлементы изготавливаются на основе каскадных\nгетероструктур. В таких приборах фотоактивные p−n-переходы, работающие в разных спектральных\nдиапазонах, соединяются последовательно туннельными переходами с предельно высокими уровнями\nлегирования [1,2]. При достаточно высокой плотности излучения, генерируемый фототок может\nпревысить пиковый ток туннельных переходов, что ведет к увеличению сопротивления всей структуры\nи падению эффективности работы прибора [3].","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"123 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-122","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

В настоящее время, наиболее эффективные фотоэлементы изготавливаются на основе каскадных гетероструктур. В таких приборах фотоактивные p−n-переходы, работающие в разных спектральных диапазонах, соединяются последовательно туннельными переходами с предельно высокими уровнями легирования [1,2]. При достаточно высокой плотности излучения, генерируемый фототок может превысить пиковый ток туннельных переходов, что ведет к увеличению сопротивления всей структуры и падению эффективности работы прибора [3].

查看原文本刊更多论文

从InP到传导通道，改变结构中的隧道通道。

目前，最有效的光电元件是基于级联异质结构制造的。在这些仪器中，在不同光谱范围内工作的光电p - n跃迁通过连续隧道通道连接到最高水平(1.2)。在足够高的辐射密度下，光电产生的电流可能会超过隧道通道的峰值，导致整个结构的阻力增加，效率下降(3)。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ

自引率

0.00%

发文量