Effect of process control in oxide-confined top-emitting lasers

Conference Digest. 15th IEEE International Semiconductor Laser Conference Pub Date : 1996-10-13 DOI:10.1109/ISLC.1996.553758

M.Y. Li, W. Yuen, G.S. Li, C. Chang-Hasnain

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Abstract

Summary form only given. Transverse mode as a function of aperture size is studied. Stringent oxidation accuracy to within a fraction of 1 /spl mu/m is required to render high yield, single mode, oxide confined GaAs QW VCSELs.

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过程控制对氧化约束顶发射激光器的影响

只提供摘要形式。研究了横向模态与孔径大小的关系。严格的氧化精度要求在1 /spl mu/m的一小部分内，以提供高产量，单模，氧化受限的GaAs QW VCSELs。

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Conference Digest. 15th IEEE International Semiconductor Laser Conference

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