Robust 45nm porous low-k process integration with well-controlled plasma process damage and moisture uptake
2006 IEEE International Conference on IC Design and Technology
Pub Date : 2006-08-14
DOI:10.1109/ICICDT.2006.220804
引用次数: 1
Abstract
In this paper, robust 45nm porous low-k process integration with well-controlled plasma process damage and moisture uptake will be discussed坚固的45纳米多孔低k工艺集成与良好控制等离子体过程损伤和水分吸收
本文将讨论具有良好控制的等离子体过程损伤和吸湿性的45nm多孔低k工艺集成
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