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70th Device Research Conference - 最新文献
Enhancement-mode Al045Ga0.55N/Al0.3Ga0.7N High Electron Mobility Transistor with p-Al0.3Ga0.7N Gate
Pub Date : 2018-01-01 DOI: 10.1109/DRC.2018.8444130 E. Douglas, B. Klein, A. Allerman, A. Baca, T. Fortune, A. ArmstrongCMOS-compatible Ti/Al ohmic contacts (R c ° C)
Pub Date : 2014-06-22 DOI: 10.1109/DRC.2014.6872304 Zhihong Liu, M. Heuken, D. Fahle, G. Ng, T. PalaciosElectrical control of nuclear-spin-induced Hall voltage in an inverted InAs heterostructure
Pub Date : 2012-08-02 DOI: 10.1109/DRC.2012.6256996 T. Ishikura, Z. Cui, K. Yoh
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