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IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits

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4152

中科院SCI期刊分区 WOS期刊分区历年影响因子历年发表同类期刊

影响因子：

ISSN：

print: 2329-9231

研究领域：

COMPUTER SCIENCE, HARDWARE & ARCHITECTURE

自引率：

4.20%

Gold OA文章占比：

97.30%

原创研究文献占比：

95.83%

SCI收录类型：

Emerging Sources Citation Index (ESCI) || Scopus (CiteScore) || Directory of Open Access Journals (DOAJ)

期刊官网：

https://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=6570653

CiteScore：

CiteScore	SJR	SNIP	CiteScore排名
5.0	0.760	0.899	学科排名百分位大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering 263 / 797 67% 大类：Materials Science 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials 97 / 284 66% 大类：Computer Science 小类：Hardware and Architecture 70 / 177 60%

发文信息

中科院SCI期刊分区

2025年3月20日发布

大类	小类	TOP期刊	综述期刊
4区计算机科学	4区计算机：硬件 COMPUTER SCIENCE, HARDWARE & ARCHITECTURE	否	否

WOS期刊分区

学科分类
Q3COMPUTER SCIENCE, HARDWARE & ARCHITECTURE

历年影响因子

2022年	2.4000
2023年	2.0000

历年发表

2012年	0
2015年	18
2016年	14
2017年	20
2018年	22
2019年	54
2020年	47
2021年	53
2022年	11

投稿信息

出版语言：

English

出版国家(地区)：

United States

审稿时长：

13 weeks

出版商：

IEEE

PubMed链接：

http://www.ncbi.nlm.nih.gov/nlmcatalog?term=2329-9231%5BISSN%5D

IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits - 最新文献

Cryogenic Hyperdimensional In-Memory Computing Using Ferroelectric TCAM

Pub Date : 2025-03-04 DOI: 10.1109/JXCDC.2025.3547797 Shivendra Singh Parihar;Shubham Kumar;Swetaki Chatterjee;Girish Pahwa;Yogesh Singh Chauhan;Hussam Amrouch

Device Nonideality-Aware Compute-in-Memory Array Architecting: Direct Voltage Sensing, I–V Symmetric Bitcell, and Padding Array

Pub Date : 2025-02-05 DOI: 10.1109/JXCDC.2025.3539470 Jianzi Jin;Shifan Gao;Cimang Lu;Xiang Qiu;Yi Zhao

Binarized Neural-Network Parallel-Processing Accelerator Macro Designed for an Energy Efficiency Higher Than 100 TOPS/W

Pub Date : 2025-02-04 DOI: 10.1109/JXCDC.2025.3538702 Yusaku Shiotsu;Satoshi Sugahara

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