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2022 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW) - 最新文献
Impact of Single Defects on NBTI and PBTI Recovery in SiO2 Transistors
Pub Date : 2022-10-09 DOI: 10.1109/IIRW56459.2022.10032748 K. Tselios, T. Knobloch, J. Michl, Dominic Waldhoer, C. Schleich, E. Ioannidis, H. Enichlmair, R. Minixhofer, T. Grasser, M. WaltlAnomaly of NBTI data for PMOS transistors degraded by plasma processing induced charging damage (PID)
Pub Date : 2022-10-09 DOI: 10.1109/IIRW56459.2022.10032757 Andreas Martin, Lukáš Valdman, Benjamin Hamilton Stafford, H. NielenSimulating and Modeling the Influence of Deep Trench Interface Recombination on Si Photodiodes
Pub Date : 2022-10-09 DOI: 10.1109/IIRW56459.2022.10032736 Paul Stampfer, G. Meinhardt, T. Grasser, M. Waltl
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