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2016 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW) - 最新文献
Improved analysis of NBTI relaxation behavior based on fast I–V measurement
Pub Date : 2016-10-09 DOI: 10.1109/IIRW.2016.7904908 D. Nouguier, C. Ndiaye, G. Ghibaudo, X. Federspiel, M. Rafik, D. RoyHumidity and polarity influence on MIM PZT capacitor degradation and breakdown
Pub Date : 2016-10-09 DOI: 10.1109/IIRW.2016.7904903 Jiahui Wang, C. Salm, E. Houwman, M. Nguyen, J. SchmitzReduction of hot carrier degradation in high voltage n-channel LDMOS BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) technology
Pub Date : 1900-01-01 DOI: 10.1109/IIRW.2016.7904897 J. Hao, D. Hahn
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