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Proceedings GaAs Reliability Workshop, 2003. - 最新文献
Lifetime acceleration model for HAST tests of a pHEMT process
Pub Date : 2004-07-01 DOI: 10.1109/GAASRW.2003.183764 P. Ersland, H. Jen, Xinxing YangHigh-resolution transmission electron microscopy on aged inp HBTs
Pub Date : 2004-07-01 DOI: 10.1109/GAASRW.2003.183769 B. Paine, T. Perham, S. ThomasRole of carrier depletion effects and material properties in advanced microscale thermal modeling of GalnP/pGaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) devices
Pub Date : 1900-01-01 DOI: 10.1109/GAASRW.2003.183768 S. Madra
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