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IEICE technical report. Component parts and materials - 最新文献
Evaluation of GaN substrates for vertical GaN power device applications
Pub Date : 2012-05-10 DOI: 10.18494/sam.2013.881 Kachi Tetsu, Uesugi TsutomuNormally-off AlGaN/GaN HEMT with Recessed Gate for High Power Applications
Pub Date : 2005-09-13 DOI: 10.7567/SSDM.2005.I-1-3 K. Nakata, T. Kawasaki, S. YaegassiHigh-speed signal transmission at the front of a bookshelf packaging system
Pub Date : 1996-08-20 DOI: 10.1109/96.641503 S. Koike, K. Kaizu
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