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1996 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices. SISPAD '96 (IEEE Cat. No.96TH8095) - 最新文献
Accuracy and convergence properties of a one-dimensional numerical non-quasi-static MOSFETs model for circuit simulation
Pub Date : 1996-09-02 DOI: 10.1109/SISPAD.1996.865328 E. Robilliart, E. DuboisRobust simulation for the hysteresis phenomena of SOI MOSFET's by quasi-transient method
Pub Date : 1996-09-02 DOI: 10.1109/SISPAD.1996.865296 R. Ikeno, K. AsadaCellular automata for device simulation-concepts and applications
Pub Date : 1996-09-02 DOI: 10.1109/SISPAD.1996.865263 G. Zandler, M. Saraniti, A. Rein, P. Vogl
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