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2009 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting - 最新文献
Optimization of Gallium nitride high power technology for commercial and military applications
Pub Date : 2009-11-06 DOI: 10.1109/BIPOL.2009.5314127 J. Shealy, M. Lefevre, B. Anderson, D. Runton, M. Poulton, J. MartinA 77GHz 3.3V 4-channel transceiver in SiGe BiCMOS technology
Pub Date : 2009-11-06 DOI: 10.1109/BIPOL.2009.5314247 S. Trotta, B. Dehlink, A. Ghazinour, D. Morgan, J. JohnA 140-GHz double-sideband transceiver with amplitude and frequency modulation operating over a few meters
Pub Date : 2009-11-06 DOI: 10.1109/BIPOL.2009.5314245 E. Laskin, P. Chevalier, B. Sautreuil, S. Voinigescu
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