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12th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. Proceedings (Cat. No.00CH37094) - 最新文献
A new generation of power unipolar devices: the concept of the FLoating islands MOS transistor (FLIMOST)
Pub Date : 2000-05-22 DOI: 10.1109/ISPSD.2000.856775 N. Cezac, F. Morancho, P. Rossel, H. Tranduc, A. Payre-LavigneSiC power devices with low on-resistance for fast switching applications
Pub Date : 2000-05-22 DOI: 10.1109/ISPSD.2000.856809 P. Friedrichs, H. Mitlehner, K. Dohnke, D. Peters, R. Schorner, U. Weinert, E. Baudelot, D. StephaniA new power MOSFET having excellent avalanche capability
Pub Date : 2000-05-22 DOI: 10.1109/ISPSD.2000.856841 T. Uesugi, T. Suzuki, T. Murata, S. Kawaji, H. Tadano
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