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2011 11th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium Proceeding - 最新文献
Composition control of GexSbyTez film for PCRAM application by chemical vapor deposition
Pub Date : 2011-11-01 DOI: 10.1109/NVMTS.2011.6137082 T. Horiike, S. Hamada, T. Uno, H. Machida, M. Ishikawa, H. Sudo, Y. Ohshita, A. OguraThermal conductivity measurements of nitrogen-doped Ge2Sb2Te5
Pub Date : 2011-11-01 DOI: 10.1109/NVMTS.2011.6137080 C. C. Tan, R. Zhao, Luping P. Shi, T. Chong, J. Bain, T. E. Schlesinger, J. Malen, W. OngCell-based models for the switching statistics of RRAM
Pub Date : 2011-11-01 DOI: 10.1109/NVMTS.2011.6137096 S. Long, C. Cagli, D. Ielmini, Ming Liu, J. Suñé
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