查看最新文献
订阅
分享
824发文信息
历年影响因子
历年发表
投稿信息
2013 25th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD) - 最新文献
Ultra-low specific on-resistance SOI high voltage trench LDMOS with dielectric field enhancement based on ENBULF concept
Pub Date : 2013-05-26 DOI: 10.1109/ISPSD.2013.6694415 Wentong Zhang, M. Qiao, Lijuan Wu, Ke Ye, Zhuo Wang, Zhigang Wang, X. Luo, Sen Zhang, Wei Su, Bo Zhang, Zhaoji LiA novel snapback-free reverse conducting IGBT with anti-parallel Shockley diode
Pub Date : 2013-05-26 DOI: 10.1109/ISPSD.2013.6694436 Liheng Zhu, Xingbi Chen15 kV SiC PiN diodes achieve 95% of avalanche limit and stable long-term operation
Pub Date : 2013-05-26 DOI: 10.1109/ISPSD.2013.6694474 S. Sundaresan, M. Marripelly, Svetlana Arshavsky, R. Singh
免责声明：
本页显示期刊或杂志信息，仅供参考学习，不是任何期刊杂志官网，不涉及出版事务，特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。若本页展示内容有任何问题，请联系我们，邮箱：info@booksci.cn，我们会认真核实处理。
本页显示期刊或杂志信息，仅供参考学习，不是任何期刊杂志官网，不涉及出版事务，特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。若本页展示内容有任何问题，请联系我们，邮箱：info@booksci.cn，我们会认真核实处理。
京公网安备 11010802042870号
