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27th Annual Proceedings., International Reliability Physics Symposium - 最新文献
Hot carrier degradation in p-channel MOSFETs
Pub Date : 1989-04-11 DOI: 10.1109/RELPHY.1989.36325 S.W. Mittle, M. HargroveHot-carrier induced instability of 0.5 mu m CMOS devices patterned using synchrotron X-ray lithography
Pub Date : 1989-04-11 DOI: 10.1109/RELPHY.1989.36343 C. Hsu, L.K. Wang, J. Sun, M. Wordeman, T. NingOn-chip measurement of package related metal shift using an integrated silicon sensor
Pub Date : 1989-04-11 DOI: 10.1109/RELPHY.1989.36333 A. Bossche
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