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Proceedings 2002 IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting (Cat. No.02TH8616) - 最新文献
Raman spectroscopy study on free-standing GaN separated from sapphire substrates by 532 nm Nd:YAG laser lift-off
Pub Date : 2002-11-07 DOI: 10.1109/HKEDM.2002.1029169 H. Ho, K. Lo, G. Siu, C. SuryaElectrical characteristics of stressing for silicon oxynitride thin film
Pub Date : 2002-11-07 DOI: 10.1109/HKEDM.2002.1029154 P. Chan, M. Poon, H. Wong, C. KokNumerical study of one-fold coordinated oxygen atom in silicon gate oxide
Pub Date : 2002-11-07 DOI: 10.1109/HKEDM.2002.1029152 V. Gritsenko, A. Shaposhnikov, Yu. N. Novikov, A. Baraban, H. Wong, G. Zhidomirov, M. Roger
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