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Proceedings 2002 IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting (Cat. No.02TH8616) - 最新文献
Raman spectroscopy study on free-standing GaN separated from sapphire substrates by 532 nm Nd:YAG laser lift-off
Pub Date : 2002-11-07 DOI: 10.1109/HKEDM.2002.1029169 H. Ho, K. Lo, G. Siu, C. SuryaFeasibility of 50-nm device manufacture by 157-nm optical lithography: an initial assessment
Pub Date : 2002-11-07 DOI: 10.1109/HKEDM.2002.1029150 Pong Wing Tai, A. WongA simple model of short channel MOSFET including velocity overshoot
Pub Date : 2002-11-07 DOI: 10.1109/HKEDM.2002.1029163 V. Kasemsuwan
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